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PolarHV TM
Power MOSFET
IXTA 16N50P
IXTP 16N50P
IXTQ 16N50P
V DSS
I D25
R DS(on)
= 500 V
= 16 A
≤ 400 m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-263 (IXTA)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M Ω
500
500
V
V
V GS
V GSM
I D25
I DM
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
± 30
± 40
16
48
V
V
A
A
G
TO-220 (IXTP)
S
(TAB)
I AR
E AR
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
16
25
750
A
mJ
mJ
dv/dt
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 10 Ω
10
V/ns
G
D S
(TAB)
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
W
° C
° C
° C
° C
° C
TO-3P (IXTQ)
M d
Weight
Mounting torque
TO-220
(TO-220, TO-3P)
1.13/10 Nm/lb.in.
4 g
G
D
S
(TAB)
TO-263
3
g
TO-3P
5.5
g
G = Gate
D = Drain
S = Source
TAB = Drain
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Features
BV DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
500
3.0
5.5
± 10
5
100
V
V
nA
μ A
μ A
International standard packages
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
400 m Ω
Easy to mount
Space savings
High power density
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99323E(03/06)
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IXTQ180N085T 功能描述:MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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